1970年，晶片上可容納約1,000個電晶體；如今，在僅比指尖稍大的面積上就有570億個（半導體）元件。利用13.5奈米極短波長的光線所製造的晶片結構比人類頭髮還精細5,000倍，因此蔡司半導體的EUV微影光學元件（德國未銷售）被使用於晶片製程中。EUV技術將突破極限，實現下一個技術突破，諸如自動駕駛、人工智慧和5G等未來趨勢，進一步實現數位化生活和工作環境。

EUV是「極紫外光」的英文縮寫。人眼可見光的波長介於400和800奈米之間，紫外光的範圍則為400奈米以下；目前先進微影製程使用「深紫外光」（DUV），波長為193奈米，可製造40奈米的結構；EUV微影技術則使用13.5奈米極短波長的光線，可製造小於20奈米的結構。

為產生EUV光，艾司摩爾和創浦協同設計了一種獨特的光源。每秒鐘會有50,000滴錫滴由艾司摩爾開發的電漿體射入真空室內，緊接著錫滴會在真空室內被創浦公司高功率二氧化碳雷射的兩道連續脈衝擊中；首先第一道脈衝會打中錫滴，使錫滴膨脹，隨後的第二道主脈衝再以全功率擊中錫滴，這會點燃錫電漿，進而產生EUV射線。為產生EUV光，電漿必須加熱到幾近攝氏220,000度的高溫，該溫度比太陽表面平均溫度還高近40倍。

製作鏡面時，只有數個原子厚度的矽、鉬鍍膜被交互蒸鍍在玻璃表面上，最終共有多達100層鍍膜疊加在一起，但每層只能反射約百分之一的光線－損失太大。為提高鏡片的效率，蔡司半導體與弗勞恩霍夫協會光學與精密工程研究所共同開發了一套原子級精度的獨特鍍膜系統，該系統的每層鍍膜厚度只有幾奈米，總體可以反射率高達70%的可用光；這是結構性干涉的結果：當EUV光被各層反射並精準地疊加在一起時，光會由於個別光波的完美疊加而被放大。

Mirrorblock是晶圓載台的一部分，為晶圓和光學感測器提供精確的支撐結構，讓晶圓在曝光時能精準對齊光罩和投影光學元件。儘管曝光機內部有溫度和高動態應力的影響，Mirrorblock還是能幾近完美地維持其形狀。