蔡司的EUV微影光學

1970年，晶片上可容納約1,000個電晶體。如今，在僅比指尖稍大的面積上就有570億個（半導體）元件。晶片顯示的結構比人的頭髮精細5,000倍，是利用13.5奈米極短波長的光線所製造。為達此目的，晶片製程使用蔡司半導體的EUV微影光學元件（德國未銷售）。EUV技術將突破技術極限。實現下一個技術突破。實現自動駕駛、人工智慧和5G等未來趨勢。實現數位化生活和工作環境。  

EUV是「極紫外光」的英文縮寫。人眼可見光的波長介於400和800奈米之間。紫外光的範圍則為400奈米以下。目前領先的微影製程使用「深紫外光」（DUV），波長為193奈米。可製造40奈米的結構。EUV微影技術使用13.5奈米極短波長的光線。可製造小於20奈米的結構。

為產生EUV光，艾司摩爾和創浦設計了一種獨特的光源。在艾司摩爾開發的電漿源中，每秒鐘會有50,000滴錫滴射入真空室內。錫滴會在真空室內被創浦公司高功率CO2雷射發出的兩個連續脈衝擊中。第一道脈衝會打中錫滴，使錫滴膨脹。隨後的第二道主脈衝再以全功率擊中錫滴。這會點燃錫電漿，進而產生EUV射線。為產生EUV光，電漿必須加熱到幾近攝氏220,000度的溫度。該溫度比太陽表面平均溫度高達近40倍。

在玻璃表面蒸鍍上極薄的矽和鉬鍍膜層－只有數個原子層的厚度。共有多達100層鍍膜疊加在一起。單層只能反射百分之一的光線－損失太大。為提高鏡片的效率，蔡司半導體與弗勞恩霍夫協會光學與精密工程研究所共同開發了一套需要原子等級精準度的獨特鍍膜系統。鍍膜層厚度只有幾奈米，反射率高達70%的可用光。這是透過結構干擾達成的：EUV光會被各層反射。當光波精準地疊加在一起時，由於個別輻射波完美疊加，因此光線就會放大。

鏡片區塊是晶圓平台的一部分，具有精準製造的晶圓和光學感測器支撐結構。可使晶圓與光罩和投影光學元件精確對齊，以進行晶圓曝光。儘管晶圓掃描器內有熱負載和高度動態壓力，鏡片區塊還是能幾近完美地維持其形狀。