1970 年時一枚晶片僅能容納約 1,000 個電晶體，如今面積僅略大於指尖的晶片上已能容納 570 億個（半導體）元件。晶片上之結構比人類頭髮細微 5,000 倍，其製造過程使用僅 13.5 奈米的極短波長光源；​因此，製程採用蔡司半導體極紫外光微影光學元件（德國未銷售）。極紫外光技術正不斷突破技術可能性的極限，為下一個技術突破鋪路。​諸如自動駕駛、人工智慧與 5G 等未來趨勢，進一步實現數位化生活和工作環境。

EUV 是「極紫外光」的英文縮寫。人眼可見光的波長介於 400 至 800 奈米之間，紫外光的範圍則為 400 奈米以下。目前先進微影製程使用「深紫外光」（DUV），其運作波長為 193 奈米，可製造 40 奈米的結構。極紫外光微影技術則使用 13.5 奈米極短波長的光源，可製造小於 20 奈米的結構。

為產生極紫外光，艾司摩爾和創浦協同設計了一種獨特的光源。每秒鐘會有 50,000 顆錫滴，由艾司摩爾開發的電漿體射入真空腔室，緊接著，錫滴會在真空腔室內，被創浦高功率 CO2 雷射的兩道連續脈衝擊中。首先，第一道脈衝會打中錫滴，使錫滴產生圓餅狀膨脹，隨後的第二道主脈衝再以全功率擊中錫滴，進而產生極紫外光射線。為產生極紫外光，電漿必須加熱到幾近攝氏 220,000 度的高溫，該溫度比太陽表面平均溫度還高近 40 倍。

只有數個極薄的原子厚度的矽、鉬層透過氣相沉積法沉積於玻璃表面，最終共有多達 100 層鍍膜疊加在一起，但每層只能反射約 1% 的光線－損失太大。為提高鏡片效率，蔡司半導體與弗勞恩霍夫協會光學與精密工程研究所共同開發了一套原子級精度的獨特鍍膜系統，每層厚度只有幾奈米，總體可以達到反射率高達 70% 的可用光。此效果源於結構性干涉：每層薄膜分別反射極紫外光。當極紫外光被精密地疊加在一起時，光會由於個別輻射波的完美疊加而被放大。

Mirrorblock 是晶圓載台的一部分，為晶圓和光學感測器提供精密的支撐結構，讓晶圓在曝光時能精密對準光罩和投影光學元件。儘管曝光機內部有高溫和高動態應力的影響，Mirrorblock 還是能幾近完美地維持其形狀。