蔡司半導體的3D工作站
蔡司3D量測及檢測工作站

讓複雜的結構顯而易見 向未來邁進的晶片發展

難以想像的小巧精確

蔡司半導體3D量測及檢測工作站技術所顯示的電晶體

用於半導體製造的3D量測及檢測工作站 量測和製程控制

摩爾定律持續進行:晶片上的電晶體數量持續增加。晶片變得更小、更強大。如果不想在奈米等級的2D結構中分析記憶體晶片,而是要在立體的3D結構中分析,這對製程控制是極高的要求。這一點不僅適用於應用於SSD固態硬碟中的NAND閘製造,也適用於主要作為工作記憶體的DRAM技術晶片生產。這同時也提高了蔡司半導體製造科技(SMT)在半導體製程中的量測(測量技術)和驗證工作的挑戰。

蔡司的3D分析

量測工作站

以前的2D成像和分析技術已無法滿足現今複雜且微型化的晶片需求。蔡司為全世界的晶片製造商提供3D量測及檢測工作站等製程控制系統,可結合高解析度3D成像技術、即時成像和最高通量的資料驅動分析平台。用於3D高通量分析和樣品前置處理。用於製程開發與故障分析。用於先進的半導體記憶體製程驗證的3D量測及檢測工作站。

獨一無二

  • 0.9奈米

    在15千電子伏特(keV)疊合點上的SEM解析度

  • 1.8奈米

    在1千電子伏特(keV)疊合點上的SEM解析度

      

  • 1 nA-100 pA

    SEM電子束電流

  • 300公釐

    晶圓樣品尺寸

複雜半導體結構的手術刀

蔡司半導體的一名員工正在處理3D Tomo工作站

蔡司的3D量測及檢測工作站

3D量測及檢測工作站可透過FIB斷層掃描以奈米級的精準度對晶片體積進行取樣、分析和驗證。蔡司採用高解析3D成像技術,結合智慧分析平台。

產品亮點

FIB-SEM的組合圖

FIB-SEM組合

隨機曝光的晶圓從晶片製程中移除。聚焦離子束(FIB)顯微鏡是3D量測及檢測工作站的核心設備-如同一把「手術刀」。聚焦離子束會在晶圓上的不同位置上隨機切取樣品,然後利用掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)對其3D奈米結構進行精確檢測。

多合一裝置

蔡司將高解析度3D分析的所有步驟整合為一:樣品製備、結構與瑕疵檢測、3D分析-一機完成。此3D量測及檢測工作站的模組化平台設計和強大的重建和分析軟體,可實現高通量製程控制、結構檢測和故障分析。

AI協助分析和排除問題

該工作站也運用人工智慧,能從歷史分析結果學習,並持續優化自身的經驗庫。換句話說,即使樣品數不多,也可達到高度的統計意義。進而可針對整個製程鏈的品質做出有效的結論。

高解析3D顯示器

高解析3D顯示器的3D圖形

克服複雜的製程挑戰

同級產品中最高的切片精度,實現最大體素數(3D解析度)。透過全自動的體積數據擷取、超廣角視野與直覺化工作流程,該工作站可在3D記憶體晶片製造中,提供量測與瑕疵檢測的關鍵分析。

最高解析度與精準度

3D量測及檢測工作站能成功測量完整的3D輪廓、評估結構特性,並在此過程中建立可靠的統計資料庫。可從任何方向以最高3D解析度檢測高度複雜的結構,同時維持高訊噪比。因此,即便是微小的結構瑕疵也能被識別出來。

3D工作流程的直覺式平台

強大的硬體和軟體套件
圖為蔡司半導體的蔡司Atlas 5

蔡司Atlas 5

智慧、整合、直覺

蔡司的Atlas 5平台可擴充3D量測及檢測工作站的應用能力。領先市場的高速高精度斷層掃描透過僅掃描相關區域的方式,加速擷取速度。在最短時間內,透過大型馬賽克拼圖式影像與多通道同步擷取,即可呈現所需的完整資訊量。模組化架構、工作流程引擎的腳本式介面以及可擴展的硬體結構使系統具備客製化能力。以樣品為核心的關聯式環境提供整合式的跨技術工作流程。

想像無極限-萬事皆可能

蔡司透過微影光學元件和半導體製程控制系統,為全球半導體製造商提供強大支援。隨著複雜性增加、新材料和半導體結構不斷地微型化,市場對量測與製程控制系統的需求也不斷提高。

3D量測及檢測工作站是一套FIB-SEM組合系統,可用於非破壞性的3D成像,可透過FIB斷層掃描對晶片體積進行取樣、分析和驗證。如需瞭解更多資訊,請聯絡我們的專家。