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蔡司半導體的3D工作站
蔡司 3D 量測與檢測工作站

運用智慧方式使複雜結構可視化 具前瞻性的晶片開發

難以想像的微型與精密

蔡司半導體3D量測與檢測工作站技術所顯示的電晶體

用於半導體製造的 3D 量測與檢測工作站 量測和製程控制

摩爾定律仍持續推進：晶片上的電晶體數量持續增加，晶片也變得更微型、更強大。若不使用奈米等級的 2D 結構分析記憶體晶片，而是在立體的 3D 結構中分析，這對製程控制是極高的要求。這不僅適用於固態硬碟（SSD）所使用的 NAND 快閃記憶體製造，也適用於主要作為工作記憶體的 DRAM 技術晶片生產，亦提高了蔡司半導體製造科技（SMT）在半導體製程中的量測（測量技術）和驗證工作的挑戰。

蔡司的 3D 分析

量測工作站

過往 2D 成像和分析技術已無法滿足現今複雜且微型化的晶片需求，蔡司為全世界的晶片製造商提供 3D 量測與檢測工作站等製程控制系統，可結合高解析度 3D 成像技術、即時成像和最高通量的資料驅動分析平台，適用於 3D 高通量分析和樣品製備；適用於製程開發與失效分析；適用於先進半導體記憶體製程驗證的 3D 量測與檢測工作站。​

全球獨一無二

  • 0.9 奈米

    在 15 千電子伏特（keV）之重合點上的 SEM 解析度​

  • 1.8 奈米

    在 1 千電子伏特（keV）之重合點上的 SEM 解析度

     

  • 1 nA－100 pA

    SEM 電子束電流

  • 300 mm

    晶圓樣品尺寸

複雜半導體結構的手術刀

蔡司半導體的一名員工正在處理3D Tomo工作站

蔡司 3D 量測與檢測工作站

透過 3D 量測與檢測工作站，可運用聚焦離子束斷層掃描技術，以奈米級精度對晶片的體積進行取樣、分析與驗證。蔡司採用高解析度 3D 成像技術，結合智慧分析平台。

產品亮點

FIB-SEM的組合圖

FIB-SEM 組合

隨機曝光的晶圓會從晶片生產過程中被移除。聚焦離子束（FIB）顯微鏡是 3D 量測與檢測工作站的核心設備－如同一把「手術刀」，此聚焦離子束會在晶圓的不同位置上隨機切取樣品，然後利用掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）對其三維奈米結構進行精密檢測。

一體化設備

蔡司將高解析度 3D 分析的全部步驟整合於單一平台：樣品製備、結構與缺陷檢測、3D分析－盡在單一設備中。此 3D 量測與檢測工作站採用模組化平台設計，搭配強大的重建與分析軟體，可實現高通量製程控制、結構檢測及失效分析。

人工智慧協助分析與故障排除

此工作站也運用人工智慧，能從歷史分析結果學習，持續累積自身豐富經驗。換言之，即使樣本數量有限，仍可達到高度的統計意義，進而能對整個製程鏈的品質做出有效結論。

高解析度 3D 顯示技術

高解析3D顯示器的3D圖形

克服複雜的製程挑戰

同級產品中最高切片鋒利度，實現最大體素數（3D 解析度）。透過全自動巨量數據擷取技術、超廣角視野以及直覺化工作流程，此工作站為 3D 記憶體晶片製造過程中的量測與缺陷檢測提供專業洞察。

最高解析度與精密度

3D 量測與檢測工作站能完整測量 3D 輪廓、評估結構特性，並在製程中建立可靠的統計資料庫。高度複雜的結構可從任何方向進行檢測，在最高 3D 解析度下同時保持高訊噪比，此特性使系統得以識別結構中最微細的缺陷。

直覺化的 3D 工作流程平台

強大的硬體與軟體套件
圖為蔡司半導體的蔡司Atlas 5

蔡司 Atlas 5

智慧、整合、直覺

蔡司 Atlas 5 平台可擴展 3D 量測與檢測工作站的功能，領先市場的快速精準斷層掃描解決方案，僅掃描相關巨量數據以加速擷取。透過多通道同步擷取，所需資訊數量能在最短時間內以大型馬賽克圖塊呈現，模組化架構、工作流程引擎的腳本式介面以及可擴展硬體架構，使系統具備客製化能力，​以樣品為核心的關聯式環境，提供整合、跨技術的工作流程。

想像無極限－萬事皆可能

蔡司為全球半導體製造商提供微影光學和製程控制系統。隨著複雜性增加、新興材料和半導體結構不斷微型化，市場對量測與製程控制系統的需求也不斷提高。

3D 量測及檢測工作站是一款整合聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）的非破壞性 3D 成像系統，可透過聚焦離子束斷層掃描技術對晶片進行採樣、分析以及巨量數據驗證。如需瞭解更多資訊，請與我們的專家聯絡。

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蔡司MultiSEM

全世界最快速的掃描電子顯微鏡