一名員工在蔡司半導體的無塵室內看著光罩
光罩校正解決方案

蔡司 ForTune 系統 超越微影技術的極限

晶圓廠高度依賴可預測性和可信度,而高良率為晶圓廠取信客戶的基礎。任何導致良率大幅下降的製程偏差,都會嚴重削弱客戶對晶圓廠製程能力與可靠性的信任。蔡司提供創新解決方案,透過提升曝光區域間關鍵尺寸均勻度(CDU)與優化晶圓的疊對精度(OPO)來防止偏差。​

  • 減少製程缺陷(DUV)
  • 優化晶圓疊對精度(DUV)
  • 降低混合疊對誤差(EUV)
  • Tuning Process of a Photomask under a microscope
  • Tuning Process of a Photomask under a microscope
  • 顯微鏡下的光罩校正過程
  • 顯微鏡下的光罩校正過程

高效能光罩校正系統

蔡司 ForTune 與蔡司 ForTune EUV 過光罩校正技術,在市場現有解決方案之上實現更高橫向解析度,以低成本優化晶圓曝光區域間的微影製程參數。​該系統適用於所有市場領域(記憶體、DUV 與 EUV 邏輯晶片),涵蓋以下應用程式:

CDC 應用程式

採用蔡司 ForTune 技術可降低晶圓曝光區域間 CDU 造成的製程缺陷發生率。​遵循偏移預防策略可提升晶圓良率,如圖所示。​

RegC® 應用程式

ForTune 與 ForTune EUV 皆為掃描式曝光機的互補解決方案。RegC® 功能可將晶圓曝光區域間的 OPO 從無法校正的誤差轉換為掃描式曝光機可校正的高橫向解析度誤差,從而使晶圓 OPO 得以超越掃描式曝光機旋鈕的校正能力。

半導體產業的許多晶片

減少製程缺陷

藉由使用 ForTune 來預防偏移

圖案偏移指的是(多個)參數偏離正常值,導致製程超出允許的誤差範圍。 圖案偏移可能由製程參數及微影參數(如焦點、光罩 CDU 與劑量)共同引發, 即使個別參數符合規格,多種微影參數的交互作用仍可能導致圖案缺陷。​

為降低晶圓曝光區域間製程缺陷,採用蔡司 ForTune 系統的偏移預防策略已獲實證成效,此目標可透過 ForTune 的 CDC 應用程式實現:​該技術能在晶圓廠以低成本、低投入實現偏移預防,從而大幅降低不良率。

使用雷射光束處理光罩

優化晶圓疊對精度

對位控制功能有助提升 DUV 與 EUV 製程的晶圓對位精度

晶圓的疊對精度(OPO)是影響晶片效能的另一關鍵限制參數,需嚴格管控。主要影響參數可分為曝光區域間參數與曝光區域內參數兩類,​兩者皆可透過掃描式曝光機進行控制。​然而,掃描式曝光機在曝光區域內疊對解析度上存在限制,對圖案的控制最高只能達到三次多項式。​掃描式曝光機的這項限制會導致高階的不可修正錯誤(NCE),進而造成 OPO 不符規格。ForTune 可將 NCE 轉換為 CE(可修正錯誤),因此可優化曝光區域內貢獻,有助於降低 DUV 與 EUV 光罩之晶圓疊對誤差。​

半導體晶片上的最小結構

優化混合疊對

ForTune EUV 可降低 DUV 和 EUV 光罩層之間以及 EUV 與 EUV 層的疊對誤差

高階光罩組是由數個 DUV 光罩和一些 EUV 光罩組成。每一層必須精準地轉印在疊加層上,才能生產具功能性和高效能的晶片。 

得益於 RegC® 功能,ForTune EUV 可降低曝光區域內誤差影響,從而優化晶圓混合疊對(MMO)精準度。

光罩校正如何運作?

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