
光罩校正解決方案
蔡司ForTune系統 超越微影技術的極限
晶圓廠高度依賴可預測性和可信度。達到高良率很重要,才能讓客戶相信晶圓廠的產能。任何降低良率的製程偏差都會大幅降低客戶對晶圓廠能力和可靠性的信任。蔡司提供創新的解決方案,藉由改善曝光區域間的關鍵尺寸均勻性(CDU)和改善晶圓的疊對精度(OPO)來防止偏差。

減少製程瑕疵
藉由使用ForTune來預防偏差圖案偏差是指(數個)參數偏離正常值,因此導致製程超出允許的誤差範圍。 圖案偏差可能是製程參數和微影參數所致,例如:對焦、光罩CDU和劑量。 即便個別參數符合規格,但多種微影參數的相互關係也可能導致圖案瑕疵。
為減少晶圓曝光區域間的製程瑕疵,蔡司ForTune系統的預防偏差是有效的策略。可透過使用ForTune的CDC應用程式來達成此目的:該應用程式可使晶圓廠輕鬆預防偏差,且成本低。因此,可大幅降低不良率。

改善晶圓在OPO的疊對精度
對位控制功能有助於提升DUV和EUV的OPO精準度晶圓在產品上的疊對精度(OPO)是另一個限制晶片效能的關鍵參數,必須加以妥善控制。主要的相關參數可分為曝光區域內和曝光區域間的誤差。兩者皆可透過曝光機控制。 然而,曝光機對曝光區域間的疊對解析度有限,僅能在掃描狹縫範圍內控制到三階多項式的校正能力。 曝光機的這項限制會導致高階的不可修正錯誤(NCE),進而造成OPO不符合規格。 ForTune可將NCE轉換為CE(可修正錯誤) ,因此可改善曝光區域間的相關參數。這有助於降低晶圓上DUV及EUV光罩疊對誤差。

已改善的混搭疊對
ForTune EUV可降低DUV和EUV光罩層之間以及EUV與EUV層的疊對誤差高階光罩組是由數個DUV光罩和一些EUV光罩組成。每一層必須精準地轉印在疊加層上,才能生產具功能性和高效能的晶片。
ForTune EUV提供的RegC®功能,可減少曝光區域間的誤差,進而優化晶圓混搭疊對(Mix & Match Overlay,MMO)精準度。