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蔡司半導體製造科技

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正在蔡司半導體無塵室內工作的員工

光罩量測解決方案

蔡司 PROVE 修正任何可測量的特徵

圖形定位是光罩量測的重要環節，不僅單片光罩（代表完整晶片設計中的一層）的結構定位精度須符合嚴苛要求，所有層的完整光罩組也必須符合要求，才能使成品具備功能性。蔡司 PROVE 光罩對位與疊對量測系統，以亞奈米等級的重複性與精準度測量圖形定位，可確保圖形定位的精準度。

實現高精度圖形定位的量測
優異的光罩與晶圓對應性
實現 EUV 微影技術
支援 EUV 缺陷防制策略

Complex mask structure
Contact holes
Complex mask structure

複雜的光罩結構
接觸孔洞
複雜的光罩結構

高解析度對位與疊對量測系統

隨著多重圖形曝光方案的導入，關鍵尺寸最重要的層必須分開成獨立的佈局並相互疊加。這些作業需要使用具備高解析度能力的對位量測工具，以及前所未有的重複性和準確性規格，才能精準測量圖形位置。

PROVE® neXT 先進的對位和疊對量測系統

PROVE® neXT 在光罩製造、多光束和 VSB 校準方面，提供經實證最佳的重複性和準確性。
該系統採用微影等級的 193 奈米光學元件，實現最低像差。

憑藉 0.8 數值孔徑，本系統在測量最小生產特徵時，解析度優於所有其他光學對位測量工具。

所有類型的光罩與奈米壓印光罩皆可在不損失圖像對比度的情況下，進行高精度測量。

所有測量作業（含局部對位圖，LRM）皆可高速產出。
數位解決方案
在 FAVOR® 運算引擎上運作

FAVOR® 平台透過智慧自動化提升生產力和可靠性。
局部對位圖（LRM）－是 PROVE® 的新測量模式，可在宏觀區域中進行對位測量，而非僅針對細微特徵，這對校準光罩寫入儀特別有助益。
查看全部的數位解決方案

具典型彩虹色澤的半導體光罩

精準的圖形定位

實現先進的微影技術

多光束寫入工具的導入為因應逆向微影（ILT）和 EUV 微影所需的高度圖形複雜性開闢了新途徑，同時也不影響產能效率。現今的先進工具可實現光罩等級小於 1 奈米的圖形定位精準度。為達到此效能等級，這些工具必須仰賴低量測雜訊的對位工具，進行校準和調校。

蔡司 PROVE neXT 專為滿足這些需求所設計，並具備無與倫比的重複性和高取樣率。

光罩結構

優異的光罩與晶圓對應性

滿足最嚴謹的疊對規格

領先的 EUV 和 DUV 微影設備供應商證實，蔡司 PROVE 提供優異的光罩與晶圓對應性，這對晶圓廠進一步優化疊對精準度至關重要。

光罩的表面結構

實現 EUV 微影技術

光罩平整度的測量與評估

蔡司 PROVE 透過高精度干涉儀技術控制空間中所有方向的量測；此外，還能根據 EUV 微影需求，評估有圖案與無圖案光罩的平整度。該系統提供 X、Y 和 Z 三個方向的綜合對位資料，供晶圓廠進一步優化疊對精準度。

定位EUV光罩上的空白區和吸收層缺陷

支援 EUV 缺陷防制策略

定位 EUV 光罩上的空白區和吸收層缺陷

除了光罩對位量測，蔡司 PROVE neXT 也支援 EUV 缺陷防制策略。該系統具備內建的高精度載台和解析能力，可精準定位 EUV 光罩上的空白區和吸收層缺陷。

產品型錄

蔡司光罩解決方案產品組合（11頁）

下載 PDF
PROVE® neXT（5頁）

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