正在蔡司半導體無塵室內工作的員工
光罩量測解決方案

蔡司PROVE 可修正任何可測量的特徵。

圖像安放仍是光罩量測的重要層面。不僅單一光罩的特性位置精準度(代表一層完整晶片設計)必須符合嚴格的要求。所有層的完整光罩組也必須符合要求,才能使成品具備功能性。蔡司PROVE光罩對位和疊對量測系統以次奈米等級的重複性和精準度測量圖形定位,確保圖形位置的精準度。

  • 可高精度地進行圖形置放量測
  • 優異的光罩與晶圓對應性
  • 實現EUV微影
  • 支援EUV降低瑕疵策略
  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Complex mask structure  

  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Contact holes
     

  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Complex mask structure

  • 光罩結構

    複雜的光罩結構 

  • 光罩量測解決方案-蔡司PROVE系統

    接觸孔洞

  • 光罩量測解決方案-蔡司PROVE系統

    複雜的光罩結構

高解析對位和疊對量測系統

隨著多重圖形曝光方案的導入,關鍵尺寸最重要的層必須分開成獨立的佈局,並相互疊加。這些作業需要使用具備高解析能力的對位量測工具,以及前所未有的重複性和準確性規格,才能精準測量圖形位置。

具典型彩虹色澤的半導體光罩

精準的圖形定位

以實現先進的微影技術

多光束寫入工具的導入為因應逆向微影(ILT)和EUV微影所需的高度圖形複雜性開啟了新途徑,同時又不犧牲產出效能。現今的先進工具可實現光罩等級小於1奈米的圖形定位精準度。為達到此性能等級,這些工具必須仰賴低量測雜訊的對位工具,來進行校正和調整。

蔡司PROVE neXT專為滿足這些需求所設計,同時還具備無與倫比的重複性和高取樣率。

光罩結構

優異的光罩與晶圓對應性

滿足最嚴格的疊對規格

領先的EUV和DUV微影設備供應商證實,蔡司PROVE提供優異的光罩與晶圓對應性,這對晶圓廠進一步優化疊對精準度至關重要。

光罩的表面結構

實現EUV微影

光罩平整度的測量與評估

蔡司PROVE透過高精度干涉儀技術控制空間中所有方向的量測,此外還能根據EUV微影需求,評估有圖案與無圖案光罩的平整度。該系統提供X、Y和Z三個方向的綜合對位資料,供晶圓廠進一步優化疊對精準度。

定位EUV光罩上的空白區和吸收層瑕疵

支援EUV降低瑕疵策略

定位EUV光罩上的空白區和吸收層瑕疵

除了光罩對位量測,蔡司PROVE neXT也支援EUV降低瑕疵策略。該系統具備內建的高精度載台和解析能力,可精準定位EUV光罩上的空白區和吸收層瑕疵。

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